Дискретные полупроводники

SMUN5211T3G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+10 ком

КОД: SMUN5211T3G

Код товара346610 КорпусSOT-323

Цена: по запросу

SMUN5213DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 47 ком+47 ком

КОД: SMUN5213DW1T1G

Код товара234867 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5214DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком

КОД: SMUN5214DW1T1G

Код товара234869 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5232DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+4.7 ком

КОД: SMUN5232DW1T1G

Код товара346663 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5233DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+47 ком

КОД: SMUN5233DW1T1G

Вес брутто0.03 г Код товара234871

Цена: по запросу

SMUN5233T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 4.7 ком+47 ком

КОД: SMUN5233T1G

Код товара234872 КорпусSOT-323

Цена: по запросу

SMUN5235DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 2.2 ком+47 ком

КОД: SMUN5235DW1T1G

Вес брутто0.02 г Код товара234873

Цена: по запросу

SMUN5311DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком

КОД: SMUN5311DW1T1G

Код товара234874 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5311DW1T3G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком

КОД: SMUN5311DW1T3G

Вес брутто0.037 г Код товара334128

Цена: по запросу

SMUN5312DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком

КОД: SMUN5312DW1T1G

Код товара234875 КорпусSC-88/SC70-6/SOT-363

Цена: по запросу

SMUN5313DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 47 ком+47 ком

КОД: SMUN5313DW1T1G

Код товара234876 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5314DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком

КОД: SMUN5314DW1T1G

Код товара234877 КорпусSOT-363

Цена: по запросу

SMUN5335DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,2.2 ком+47 ком

КОД: SMUN5335DW1T1G

Вес брутто0.03 г Код товара333271

Цена: по запросу

SNSS30201MR6T1G, trans npn 30v 2a tsop-6

КОД: SNSS30201MR6T1G

Вес брутто0.03 г Код товара360999

Цена: по запросу

SP8K3, полевой транзистор, n/p-канальный, 30 в, 7 а, 2 вт

КОД: SP8K3

Вес брутто0.2 г Код товара316129

39.90 ₽

В наличии

SP8K4, полевой транзистор, n/p-канальный, 30 в, 9 а, 2 вт

КОД: SP8K4

Вес брутто0.2 г Код товара316128

Цена: по запросу

SP8M5, полевой транзистор, n/p-канальный, 30 в, 6 а, 2 вт

КОД: SP8M5

Вес брутто0.2 г Код товара316127

Цена: по запросу

SPA07N60C3XKSA1, транзистор полевой n-канальный 650в 7.3a

КОД: SPA07N60C3XKSA1

Вес брутто3.1 г Остаток под заказ0 шт

186.40 ₽

В наличии

SPA11N60C3XKSA1, транзистор полевой n-канальный 600в 11а 34вт

КОД: SPA11N60C3XKSA1

Описание SPA11N60C3XKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 11 A Package Type TO-220FP Maximum Power Dissipation 33 W Mounting Type Through Hole Width 4.85mm Height 9.83mm Dimensions...

Вес брутто3.12 г Остаток под заказ0 шт

351.78 ₽

В наличии

SPA11N80C3XKSA1, транзистор полевой n-канальный 800в 11a

КОД: SPA11N80C3XKSA1

Описание SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3 является N-канальным CoolMOS™ силовым МОП-транзистором 800В с низким уровнем сопротивления в активном состоянии. CoolMOS™ МОП-транзистор обеспечивает существенное снижение потерь проводимости, переключения и привода, а так же высокую плотность мощности...

Вес брутто2.91 г Остаток под заказ0 шт

277.10 ₽

В наличии