Дискретные полупроводники

SGH30N60RUFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 235 вт

КОД: SGH30N60RUFDTU

Вес брутто6.401 г Код товара232089

Цена: по запросу

SGH40N60UFD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт

КОД: SGH40N60UFD

Вес брутто5.6 г Код товара316130

Цена: по запросу

SGH80N60UFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 195 вт

КОД: SGH80N60UFDTU

Вес брутто5.6 г Импульсный ток коллектора макс220 А

Цена: по запросу

SGL160N60UFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 160 а, 250 вт

КОД: SGL160N60UFDTU

Импульсный ток коллектора макс300 А Код товара232091

Цена: по запросу

SGL41-60-E3/96, диод шоттки 60в 1а

КОД: SGL41-60-E3/96

БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Емкость80пФ при 4В на 1МГц

Цена: по запросу

SGL50N60RUFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 250 вт

КОД: SGL50N60RUFDTU

Импульсный ток коллектора макс150 А Код товара232097

Цена: по запросу

SGP02N120XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 6.2 а, 62000 мвт

КОД: SGP02N120XKSA1

Описание SGP02N120XKSA1 Infineon Discrete IGBT Transistors Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters,...

Вес брутто3.5 г Код товара232100

Цена: по запросу

SGP07N120XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 16.5 а, 125 вт

КОД: SGP07N120XKSA1

Описание SGP07N120XKSA1 1200V 16.5A 125W TO220 Корпус TO-220-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 16.5 А, Напряжение насыщения К-Э 3.6 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 70 нКл, Тип входа стандартный Технология/семейство npt...

Вес брутто3.5 г Импульсный ток коллектора макс27 А

Цена: по запросу

SGP15N120XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 198 вт

КОД: SGP15N120XKSA1

Описание SGP15N120XKSA1 Характеристики Структура npt Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 15 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.1 Управляющее напряжение,В 4 Мощность макс.,Вт 198 Крутизна характеристики, S -...

Вес брутто3.5 г Импульсный ток коллектора макс52 А

Цена: по запросу

SGP23N60UFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а

КОД: SGP23N60UFDTU

Описание SGP23N60UFDTU Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 4.5 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

Вес брутто3.5 г Импульсный ток коллектора макс92 А

Цена: по запросу