Дискретные полупроводники

RGP15J-E3/54
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)250нс
Цена: по запросу
 
RGP15J-E3/73
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)250нс
Цена: по запросу
 
RGP15M-E3/73
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)500нс
Цена: по запросу
 
RGP30D-E3/54
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто1.5 г
Цена: по запросу
 
RGP30G-E3/54
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто1.5 г
Цена: по запросу
 
RGP30K-E3/54
Вес брутто1.5 г Код товара307367
Цена: по запросу
 
RGP30M-E3/54
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто1.5 г
Цена: по запросу
 
RHRD660S9A
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)35нс
Цена: по запросу
 
RHRD660S9A_F085
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)35нс
Цена: по запросу
 
RHRG1560CC
Быстродействие, нс500 Вес брутто8.5 г
Цена: по запросу
 
RHRG30120
Описание RHRG30120 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 30 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 300 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 100 Максимальное...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто7.27 г
Цена: по запросу
 
RHRG3060
Описание RHRG3060 Rectifier Diodes, 10A to 80A, Fairchild Semiconductor Diode Configuration Одинарный Тип выпрямителя Коммутация Максимальная рабочая температура +175 °C Количество элементов на ИС 1 Длина 15.8мм Производитель ON Semiconductor Тип корпуса...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто7.03 г
Цена: по запросу
 
RHRG3060CC
Быстродействие, нс500 Вес брутто8.5 г
Цена: по запросу
 
RHRG75120
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто6.77 г
Цена: по запросу
 
RHRP15120
Описание RHRP15120 Rectifier Diodes, 10A to 80A, Fairchild Semiconductor Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 1200 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 15 А Максимальное прямое напряжение...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто2.8 г
Цена: по запросу
 
RHRP1560
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто3.5 г
Цена: по запросу
 
RHRP30120
Описание RHRP30120 Rectifier Diodes, 10A to 80A, Fairchild Semiconductor Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 1200 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 30 А Максимальное прямое напряжение...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто3 г
Цена: по запросу
 
RHRP3060
Описание RHRP3060 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 600 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 30 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 325 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 250 Максимальное...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто2.92 г
Цена: по запросу
 
RHRP8120
Описание RHRP8120 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 8 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 100 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 100 Максимальное...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто2.86 г
Цена: по запросу
 
RHRP860
Описание RHRP860 RHRP860 является очень быстродействующим диодом с мягкими характеристиками восстановления. Они оснащены сверхбыстрым восстановлением (половина времени восстановления сверхбыстрых диодов) и обладают планарной, эпитаксиальной конструкцией из нитрида кремния. Это устройство...
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто3.12 г
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров