Дискретные полупроводники

R2KY
Вес брутто1.5 г Код товара42826
184.00 
 
R5000F
Вес брутто0.3 г Код товара601747
Цена: по запросу
 
RA08H1317M
Код товара416353 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
RD00HHS1-101
Код товара325006 Краткое описаниеMOSFET Power Transistor 30MHz, 0.3W Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 200мА 3,1Вт 30МГц Tch=150°C
Цена: по запросу
 
RD01MUS1
Описание RD01MUS1 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Вес брутто0.09 г Код товара316047
Цена: по запросу
 
39.68 
В наличии
 
RD01MUS2-T513
Код товара408742 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
446.56 
В наличии
 
394.62 
В наличии
 
RD07MVS1-T51
Описание RD07MVS1-T51 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Вес брутто0.14 г Код товара316048
299.30 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
RD15HVF1-101
Описание RD15HVF1-101 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Вес брутто2.92 г Код товара103115
474.05 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
RD16HHF1-501
Описание RD16HHF1-501 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Вес брутто2.83 г Код товара118083
509.98 
В наличии
 
1 290.63 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров