Дискретные полупроводники

Описание IRL1404PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 ом...
Описание IRL2203NPBF MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm...
Описание IRL3103PBF MOSFET, N, 30V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.012ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse...
Описание IRL3705NSTRLPBF MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 89A; Drai Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 89 А,...
Показать еще 16 товаров