Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
PM450DV1A120, модуль силовой сдвоенный 450a 1200в
PM450DV1A120
Вес брутто530 г Код товара404016
Цена: по запросу
 
PM50RL1B120, модуль igbt силовой
PM50RL1B120
Код товара428946 Нормоупаковка1 шт
10 082.69 ₽
 
PM75CL1B120#350G, модуль igbt силовой
PM75CL1B120#350G
Код товара568624 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
PMBD353,215, диод шоттки 4в 30ма
PMBD353,215
Код товара228867 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
PMBD354,215, диод шоттки 4в 30ма
PMBD354,215
Код товара228868 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
PMBD6050,215, диод выпрямительный общего применения 70в 0.215а
PMBD6050,215
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)4нс
Цена: по запросу
 
PMBD6100,215, диод выпрямительный сборка 70в 215ма
PMBD6100,215
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс4
Цена: по запросу
 
PMBD7100,215, диод выпрямительный сборка 100в 215ма
PMBD7100,215
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс4
Цена: по запросу
 
PMBF170,215, транзистор полевой n-канальный 60в 300ма, 0.83вт
PMBF170,215
Вес брутто0.04 г Остаток под заказ5 112 шт
4.74 ₽
В наличии
 
PMBF4391,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт
PMBF4391,215
Код товара228876 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
PMBF4393,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт
PMBF4393,215
Код товара228878 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
PMBFJ109,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
PMBFJ109,215
Код товара228880 КорпусSOT-23 (TO-236AB)
Цена: по запросу
 
PMBFJ110,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
PMBFJ110,215
Код товара228881 КорпусSOT-23 (TO-236AB)
Цена: по запросу
 
PMBFJ176,215, транзистор управляемый p-n переходом
PMBFJ176,215
Вес брутто0.05 г Код товара481770
Цена: по запросу
 
PMBFJ177,215, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 300 мвт
PMBFJ177,215
Вес брутто0.05 г Код товара228888
Цена: по запросу
 
PMBFJ308,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
PMBFJ308,215
Код товара228889 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
PMBFJ309,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
PMBFJ309,215
Описание PMBFJ309,215 N-channel JFET, NXP Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 25 Ток утечки (Idss), мА 12…30 при Vds, В (Vgs=0) 10 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(typ) Максимальная...
Вес брутто0.05 г Код товара119312
Цена: по запросу
 
PMBFJ310,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
PMBFJ310,215
Вес брутто0.04 г Код товара228891
Цена: по запросу
 
PMBS3904,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.1 а, 0.25вт
PMBS3904,215
Вес брутто0.04 г Код товара228892
1.53 ₽
В наличии
 
PMBS3906,215, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 0.1 а
PMBS3906,215
Вес брутто0.05 г Код товара228893
2.20 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров