Дискретные полупроводники

Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
Цена: по запросу
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Показать еще 16 товаров