Дискретные полупроводники

Описание IRFR3410TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3707ZTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3910TRPBF The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design,...
Показать еще 16 товаров