Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
MZC150-12-413F3D, силовой быстродействующий диодный модуль 1200в 236а
MZC150-12-413F3D
Вес брутто780 г Код товара524945
Цена: по запросу
 
NBRD5H100T4G, диод шоттки
NBRD5H100T4G
Код товара222664 Краткое описаниеDiode Schottky 100V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Диод Шоттки
Цена: по запросу
 
NBRS2H100T3G, диод шоттки 100в 2а
NBRS2H100T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Код товара222665
Цена: по запросу
 
NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в
NDC7001C
Код товара223904 КорпусSSOT6
Цена: по запросу
 
NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма
NDC7002N
Вес брутто0.04 г Код товара133697
Цена: по запросу
 
NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма
NDC7003P
Код товара223906 КорпусSSOT6
Цена: по запросу
 
NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а
NDS9948
Описание NDS9948 Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500...
Вес брутто0.14 г Код товара145890
Цена: по запросу
 
NE3210S01-T1B, транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием aigaas и нелегированным ingaas диапазон 12ггц
NE3210S01-T1B
Вес брутто0.05 г Код товара424457
Цена: по запросу
 
NF3M45170K, sic mosfet 1700в, 72а, корпус to-247-4
NF3M45170K
Код товара567484 КорпусTO-247-4L
Цена: по запросу
 
NGB8202ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 150 вт
NGB8202ANT4G
Вес брутто1.2 г Код товара224017
Цена: по запросу
 
NGB8202ANTF4G, транзистор igbt одиночный
NGB8202ANTF4G
Код товара507473 Краткое описаниеIgnition IGBT, 20A, 400V, N Channel D2PAK
Цена: по запросу
 
NGB8245NT4G, биполярный транзистор igbt, 490 в, 20 а, 150 вт
NGB8245NT4G
Вес брутто1.2 г Код товара224020
Цена: по запросу
 
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G
Вес брутто0.66 г Код товара224023
Цена: по запросу
 
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G
Вес брутто0.4 г Код товара359278
Цена: по запросу
 
NGD8205ANT4G, биполярный транзистор igbt, 390 в, 20 а, 125 вт
NGD8205ANT4G
Код товара224024 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
NGTB03N60R2DT4G, транзистор igbt одиночный
NGTB03N60R2DT4G
Вес брутто0.6 г Код товара363218
Цена: по запросу
 
NGTB15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
NGTB15N60S1EG
Вес брутто3.5 г Импульсный ток коллектора макс120 А
Цена: по запросу
 
NGTB30N120IHSWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
NGTB30N120IHSWG
Вес брутто6.22 г Код товара224037
Цена: по запросу
 
NGTB35N65FL2WG, биполярный транзистор igbt, 650 в, 70 а, 300 вт
NGTB35N65FL2WG
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс120 А
Цена: по запросу
 
NGTB40N120FL2WG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 535 вт
NGTB40N120FL2WG
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс200 А
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров