Дискретные полупроводники

MURA240T3G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)65нс
Цена: по запросу
 
MURA260T3G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)75нс
Цена: по запросу
 
MURB1620CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.35 г
Цена: по запросу
 
MURB1620CTRT4G
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
MURB1620CTT4G
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.98 г
Цена: по запросу
 
MURB1660CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
MURB1660CTT4G
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
MURD320T4G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)35нс
Цена: по запросу
 
MURD330T4G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)50нс
Цена: по запросу
 
MURD340T4G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)50нс
Цена: по запросу
 
MURD530T4G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)50нс
Цена: по запросу
 
MURD550PFT4G
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)95нс
Цена: по запросу
 
MURD620CTG
Описание MURD620CTG Rectifier Diodes, 4A to 9A, ON Semiconductor Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 200 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное прямое напряжение...
Быстродействие, нс500 Вес брутто0.62 г
Цена: по запросу
 
MURD620CTT4G
Быстродействие, нс500 Вес брутто0.42 г
Цена: по запросу
 
MURF1620CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто2.27 г
Цена: по запросу
 
MURF1660CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто2.4 г
Цена: по запросу
 
MURH840CTG
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс28
Цена: по запросу
 
MURH860CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто2.83 г
Цена: по запросу
 
MURHB840CTG
Быстродействие, нс500 Вес брутто2.3 г
Цена: по запросу
 
MURHB860CTT4G
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров