Дискретные полупроводники

Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
Цена: по запросу
Описание FQA11N90C_F109 N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Base Product Number FQA1 -> Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V ECCN EAR99 FET Type N-Channel...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQA70N15 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 ом при...
Цена: по запросу
Описание FQA9N90C_F109 The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQD19N10LTM The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP12P20 • 100% Avalanche tested • 31nC Typical gate charge • 30pF Typical low Crss Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.5 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 120 Вт Тип монтажа Монтаж на плату...
Описание FQP13N10 FQP13N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Цена: по запросу
Описание FQP13N50C N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание FQP17N40 FQP17N40 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 400В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...
Цена: по запросу
Описание FQP17P06 FQP17P06 является P-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® -60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров