Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

IRFL4105PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 3.7а 2.1вт, 0.045 ом

Цена: по запросу

IRFL4105TRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 5,2a 2,1вт 0,045ом sot223

В наличии

£0.38

IRFL4310PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.6а 2.1вт, 0.2 ом

Цена: по запросу

IRFL4310TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.6а 2.1вт

В наличии

£0.31

Описание IRFL4310TRPBF The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an...

IRFL4315PBF, транзистор полевой n-канальный 150в 2.6а 2.8вт

Цена: по запросу

IRFL4315TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 2.6a aвтомобильного применения 4-pin(3+tab) sot-223 лента на катушке

В наличии

£0.34

IRFL9014PBF, полевой транзистор, p-канальный, 60 в, 1.8 а

Цена: по запросу

IRFL9014TRPBF, транзистор полевой p-канальный 60в 1.8а 2вт

Цена: по запросу

Описание IRFL9014TRPBF The IRFL9014TRPBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is designed for surface-mounting using vapour phase,...

IRFL9110PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 1.1а 3.1вт, 1.2 ом

Цена: по запросу

IRFL9110TRPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 1.1а 3.1вт

Цена: по запросу

Описание IRFL9110TRPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала...