Дискретные полупроводники

BFP840ESDH6327, биполярный транзистор npn 2,25в 35ма 75мвт кус 150-450 80ггц

Цена: по запросу

BFP842ESDH6327, биполярный транзистор npn 3,25в 40ма 120мвт кус 150-450 57ггц

Цена: по запросу

BFR106E6327, биполярный транзистор npn 16в 210ма 700мвт кус 70-140 5ггц

В наличии

£0.20

BFR181E6327HTSA1, транзистор биполярный npn 12в 0.02а 175мвт автомобильного применения 3-pin sot-23 лента на катушке

В наличии

£0.13

BFR193E6327, биполярный транзистор npn 12в 80ма 580мвт кус 70-140 8ггц

В наличии

£0.11

Описание BFR193E6327 RF Bipolar Transistors, Infineon Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 12 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.08...

BFR193WH6327, биполярный транзистор npn 12в 80ма 580мвт кус 70-140 8ггц

В наличии

£0.14

BFR30,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BFR31,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BFR92PE6327HTSA1, биполярный транзистор npn 15в 45ма 280мвт кус 70-140 5ггц

В наличии

£0.10

Описание BFR92PE6327HTSA1 NPN RF-Trans. 15V 45mA SOT23 Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 280 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15 В, Ток коллектора 45 мА, Коэффициент усиления по току, min 70 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

BFS17SH6327, биполярный транзистор npn 15в 25ма 280мвт кус 40-150 1,4ггц

В наличии

£0.04

BFS20,235, биполярный транзистор npn, 20 в, 0.025 а

Цена: по запросу

BFS20W,115, биполярный транзистор, npn, 20 в, 0.025 а

Цена: по запросу

BFT46,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BFU590QX, биполярный транзистор npn 12в 200ма 2вт кус 60-130 8ггц

Цена: по запросу

BFU660F,115, биполярный транзистор npn 5,5в 60ма 225мвт кус 90-180 21ггц

Цена: по запросу

BFU690F,115, биполярный транзистор npn 5,5в 100ма 490мвт кус 90-180 18ггц

Цена: по запросу

BFU725F/N1,115, биполярный транзистор npn 2,8в 40ма 136мвт кус 160-400 55ггц

Цена: по запросу

BLF188XRU, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

BLF578,112, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

BLF989EU, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

BLF989U, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 108v, sot-539a

Цена: по запросу

BLT81,115, биполярный транзистор npn 9б5в 500ма 2вт кус не менее 25 900мгц

Цена: по запросу

BR310, диодный мост 3а 1000в

В наличии

£0.18

BS107A, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 0.25 а, 0.35 вт

Цена: по запросу

BS107ARL1G, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 250 ма

Цена: по запросу

BS108ZL1G, транзистор полевой n-канальный 200в 0.25а 0.35вт

Цена: по запросу

Описание BS108ZL1G Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 ом при...