Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
16
IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом
IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом
В наличии
$0.95
IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
В наличии
$1.01
Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом
IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом
В наличии
$0.47
IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт
IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт
В наличии
$0.83
Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220
IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220
Цена: по запросу
Описание IRF530A IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора. • Увеличенная зона безопасной работы • Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В) •...
IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом
IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом
В наличии
$0.34
IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт
IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт
В наличии
$0.56
IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом
IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом
В наличии
$0.42
IRF540NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 3.8вт
IRF540NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 3.8вт
В наличии
$0.40
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
В наличии
$0.60
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
В наличии
$0.68
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
В наличии
$0.43
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
В наличии
$0.29
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
В наличии
$0.22
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
Цена: по запросу
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF5852TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09...
Показать еще 16 товаров