Дискретные полупроводники

MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23

КОД: MMBT2222A-TP

Вес брутто0.05 г Код товара355011

Цена: по запросу

MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт

КОД: MMBT2222ALT1G

Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

Вес брутто0.03 г Код товара81209

Цена: по запросу

MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

КОД: MMBT2222ALT3G

Код товара220031 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

Цена: по запросу

MMBT2222ATT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.15 вт

КОД: MMBT2222ATT1G

Вес брутто0.02 г Код товара220034

Цена: по запросу

MMBT2222AWT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

КОД: MMBT2222AWT1G

Вес брутто0.03 г Код товара117199

Цена: по запросу

MMBT2222AWT3G, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sc70-3

КОД: MMBT2222AWT3G

Код товара351347 КорпусSC-70-3 (SOT323)

Цена: по запросу

MMBT2222LT1G, биполярный транзистор, npn, 30 в, 0.6 а, 0.225 вт

КОД: MMBT2222LT1G

Вес брутто0.03 г Код товара220036

Цена: по запросу

MMBT2369A, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

КОД: MMBT2369A

Вес брутто0.05 г Код товара220037

Цена: по запросу

MMBT2369ALT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а, 0.225 вт

КОД: MMBT2369ALT1G

Описание MMBT2369ALT1G • Halogen-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.29.00.95 Type NPN Product Category Bipolar Small Signal Material Si Configuration Single Number of Elements per...

Вес брутто0.03 г Код товара220038

Цена: по запросу

MMBT2369LT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

КОД: MMBT2369LT1G

Код товара220039 КорпусSOT23-3

Цена: по запросу

MMBT2484, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

КОД: MMBT2484

Вес брутто0.05 г Код товара220040

Цена: по запросу

MMBT2484LT1G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

КОД: MMBT2484LT1G

Код товара220041 КорпусSOT23-3

Цена: по запросу

MMBT2907, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 0.8 а

КОД: MMBT2907

Вес брутто0.01 г Код товара305343

Цена: по запросу

MMBT4401, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

КОД: MMBT4401

Вес брутто0.03 г Код товара220072

1.01 ₽

В наличии

MMBT5401, биполярный транзистор, pnp, 150 в, 0.5 а

КОД: MMBT5401

Код товара220088 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

1.05 ₽

MMBT5551, биполярный транзистор, npn, 160 в, 0.6 а

КОД: MMBT5551

Вес брутто0.05 г Код товара220093

1.04 ₽

MMBT7002, транзистор mosfet одиночный

КОД: MMBT7002

Вес брутто0.05 г Код товара395276

1.63 ₽

MMBTA06, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.3вт

КОД: MMBTA06

Вес брутто0.03 г Код товара604490

Цена: по запросу

MMBTA06LT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.225вт

КОД: MMBTA06LT1G

Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base...

Вес брутто0.03 г Код товара72169

Цена: по запросу

MMBTA06LT3G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

КОД: MMBTA06LT3G

Код товара220116 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

Цена: по запросу