Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBFJ108
Код товара220004 Краткое описаниеJFET N-CH 25V 350MW SSOT3 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Цена: по запросу
 
MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ111
Код товара220005 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ112
Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...
Вес брутто0.03 г Код товара220006
Цена: по запросу
 
MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ113
Вес брутто0.03 г Код товара220007
Цена: по запросу
 
MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175
Код товара220008 КорпусSOT23-3
Цена: по запросу
 
MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175LT1G
Вес брутто0.03 г Код товара37392
Цена: по запросу
 
MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ176
Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...
Вес брутто0.03 г Код товара220010
Цена: по запросу
 
MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ177
Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...
Вес брутто0.05 г Код товара220011
Цена: по запросу
 
MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт
MMBFJ177LT1G
Вес брутто0.03 г Код товара71819
Цена: по запросу
 
MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
MMBFJ201
Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...
Вес брутто0.04 г Код товара220013
Цена: по запросу
 
MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт
MMBFJ202
Вес брутто0.03 г Код товара220014
Цена: по запросу
 
MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ270
Код товара220016 КорпусSOT-23-3 (TO-236)
Цена: по запросу
 
MMBFJ270_R1_00001, транзистор управляемый p-n переходом
MMBFJ270_R1_00001
Код товара350504 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
MMBFJ309LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт
MMBFJ309LT1G
Вес брутто0.03 г Код товара220018
Цена: по запросу
 
MMBFJ310, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.35вт
MMBFJ310
Вес брутто0.05 г Код товара220019
Цена: по запросу
 
MMBFJ310LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт
MMBFJ310LT1G
Вес брутто0.05 г Код товара220020
Цена: по запросу
 
MMBFJ310LT3G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в
MMBFJ310LT3G
Код товара220021 КорпусSOT-23-3 (TO-236)
Цена: по запросу
 
MMBFU310LT1G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 225 мвт
MMBFU310LT1G
Вес брутто0.05 г Код товара220022
Цена: по запросу
 
MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
MMBT2222A
Вес брутто0.05 г Код товара220027
Цена: по запросу
 
MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
MMBT2222A,215
Вес брутто0.03 г Код товара220029
2.30 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров