Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...

MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...