Дискретные полупроводники

MMBD914LT3G, диод выпрямительный общего применения 100в 0.2а

КОД: MMBD914LT3G

БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Время восстановления (trr)4нс

Цена: по запросу

MMBF170, транзистор полевой n-канальный 60в 0.5a, 0.225вт

КОД: MMBF170

Вес брутто0.03 г Код товара571448

2.34 ₽

В наличии

MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

КОД: MMBF4117

Код товара219984 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

Цена: по запросу

MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

КОД: MMBF4118

Код товара219985 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

Цена: по запросу

MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

КОД: MMBF4391

Код товара219987 КорпусSOT-23-3 (TO-236)

Цена: по запросу

MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в

КОД: MMBF4391LT1G

Вес брутто0.07 г Код товара124200

Цена: по запросу

MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

КОД: MMBF4392

Код товара219988 КорпусSOT23-3

Цена: по запросу

MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

КОД: MMBF4392LT1G

Вес брутто0.03 г Код товара219989

Цена: по запросу

MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

КОД: MMBF4393

Код товара219990 КорпусSOT23-3

Цена: по запросу

MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

КОД: MMBF4393LT1G

Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...

Вес брутто0.03 г Код товара108027

Цена: по запросу