Дискретные полупроводники

BDW47G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 15 а

Цена: по запросу

BDW93CTU, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

BDW94C, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 12 а, 80 вт

Цена: по запросу

Описание BDW94C PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...

BDW94C, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 12 а

Цена: по запросу

BDW94CFP, биполярный транзистор

Цена: по запросу

BDW94CFTU, транзистор биполярный pnp дарлингтона 100в 12a to-220

Цена: по запросу

BDX33BG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX33C, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX33CG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX34BG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX34C, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX34CG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 10 а

Цена: по запросу

BDX43, биполярный транзистор, npn, 80 в, 1 а, 5 вт, (комплементарная пара bdx46)

Цена: по запросу

BDX46, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 1 а, 5 вт, (комплементарная пара bdx43)

Цена: по запросу

BDX53BG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX53CG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX53CTU, биполярный транзистор, npn, 100 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX54B, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX54BG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX54C, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX54CG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

BDX54CTU, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

BF2040E6814HTSA1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный двухзатворный 8в 40ма 200мвт 1ггц tch=150°c

Цена: по запросу

BF245C, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.3 вт

Цена: по запросу

BF256B, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.35вт

Цена: по запросу

BF420, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.25 а, 0.83 вт

Цена: по запросу

BF421, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 250 ма, 0.83 вт

Цена: по запросу

Описание BF421 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический...

BF423, биполярный транзистор, pnp, 250 в, 250 ма, 0.83 вт

Цена: по запросу

BF510,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20v, 10мa, 0,25вт

Цена: по запросу

Описание BF510,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 0.7 → 3.0mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...

BF511,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в, 0,25вт

Цена: по запросу

BF512,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в, 30 ма, 0,25вт

Цена: по запросу

BF513,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20v, 10мa, 0,25вт

Цена: по запросу

BF545A,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.25 вт, 6.5 ма

Цена: по запросу

BF545B,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 31 в, 0.25 вт, 15 ма

Цена: по запросу

BF550,215, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 0.025 а

Цена: по запросу

BF623,115, биполярный транзистор, pnp, 250 в, 0.05 а

Цена: по запросу

BF720T1G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.1 а, 1.5 вт

Цена: по запросу

BF721T1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.05 а

Цена: по запросу

BF722,115, биполярный транзистор, npn, 250 в, 0.1 а

Цена: по запросу

BF723,115, биполярный транзистор, pnp, 250 в, 0.1 а

Цена: по запросу

BF820,235, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.05 а

Цена: по запросу

BF821,235, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.05 а

Цена: по запросу

BF824W,135, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 0.025 а

Цена: по запросу

BF840,235, trans npn 40v 0.025a sot23

Цена: по запросу

BF861B,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

BF861B,235, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

BF861C,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25v, 10ma

Цена: по запросу

Описание BF861C,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 12 → 25mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...

BF862,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в

Цена: по запросу

Описание BF862,215 Корпус TO236 Структура n-канал Корпус sot23 Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.025 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт...