Дискретные полупроводники

MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

КОД: MJD50TF

Код товара219186 КорпусDPAK/TO-252AA

Цена: по запросу

MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а

КОД: MJD6039T4G

Код товара219188 КорпусDPAK/TO-252AA

Цена: по запросу

MJE13001, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

КОД: MJE13001

Вес брутто0.5 г Код товара129930

Цена: по запросу

MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

КОД: MJE13001L-F-T92-K

Вес брутто0.5 г Код товара370913

Цена: по запросу

MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт

КОД: MJE13003

Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...

Вес брутто0.779 г Код товара84446

Цена: по запросу

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

КОД: MJE13005F

Вес брутто3.5 г Код товара303474

Цена: по запросу

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

КОД: MJE13005F

Вес брутто3.5 г Код товара366612

Цена: по запросу

MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab

КОД: MJE15033

Вес брутто2.81 г Код товара469909

49.34 ₽

MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт

КОД: MJE2955T

Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

Вес брутто2.71 г Код товара66004

50.19 ₽

В наличии

MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт

КОД: MJE3055T

Вес брутто2.7 г Код товара66005

84.35 ₽

В наличии

MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт

КОД: MJE340

Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

Вес брутто1.4 г Код товара52292

96.07 ₽

MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт

КОД: MJE350

Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

Вес брутто0.7 г Код товара37602

38.66 ₽