Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGF2445A-01
2 964.03 ₽
 
MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC36V5258-51
7 675.24 ₽
 
MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC47A4450-01
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17AB-450N
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17AB-450N-P
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17SA-450N
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17SG-450N
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
MIDA-HB17SG-600N
Цена: по запросу
 
MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w
MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w
MJ11015G
Цена: по запросу
 
MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт
MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт
MJ11016G
Цена: по запросу
 
MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт
MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт
MJ11032G
Цена: по запросу
 
MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а
MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а
MJ11033G
Цена: по запросу
 
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G
Цена: по запросу
 
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G
Цена: по запросу
 
MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а
MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а
MJB45H11T4G
Цена: по запросу
 
MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112-1G
Цена: по запросу
 
MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт
MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт
MJD112G
Цена: по запросу
 
MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112RLG
Цена: по запросу
 
MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт
MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт
MJD112T4
В наличии
53.28 ₽
 
MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112T4G
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров