Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGF2445A-01
Код товара325002 Краткое описаниеПолевой транзистор, радиочастотный
2 964.03 ₽
 
MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC36V5258-51
Код товара325003 Краткое описаниеПолевой транзистор, радиочастотный
7 675.24 ₽
 
MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC47A4450-01
Код товара325005 Краткое описаниеПолевой транзистор, радиочастотный
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17AB-450N
Вес брутто420 г Код товара593042
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17AB-450N-P
Вес брутто420 г Код товара593043
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17SA-450N
Вес брутто420 г Код товара593044
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
MIDA-HB17SG-450N
Вес брутто420 г Код товара593045
Цена: по запросу
 
MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
MIDA-HB17SG-600N
Вес брутто420 г Код товара593047
Цена: по запросу
 
MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w
MJ11015G
Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
Вес брутто15.1 г Код товара148422
Цена: по запросу
 
MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт
MJ11016G
Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
Вес брутто18 г Код товара134481
Цена: по запросу
 
MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт
MJ11032G
Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
Вес брутто16.9 г Код товара72063
Цена: по запросу
 
MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а
MJ11033G
Вес брутто15.7 г Код товара219102
Цена: по запросу
 
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G
Вес брутто18 г Код товара473272
Цена: по запросу
 
MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт
MJ15003G
Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Вес брутто20 г Код товара37594
Цена: по запросу
 
MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а
MJB45H11T4G
Вес брутто2.02 г Код товара219120
Цена: по запросу
 
MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112-1G
Код товара219121 КорпусTO-251
Цена: по запросу
 
MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт
MJD112G
Вес брутто0.67 г Код товара219122
Цена: по запросу
 
MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112RLG
Код товара219123 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт
MJD112T4
Вес брутто0.54 г Код товара103820
53.28 ₽
В наличии
 
MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
MJD112T4G
Вес брутто0.45 г Код товара219125
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров