Дискретные полупроводники

MBRS190T3G
Описание MBRS190T3G The MBRS190T3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal...
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.26 г
Цена: по запросу
 
MBRS2040LT3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.22 г
Цена: по запросу
 
MBRS230LT3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.22 г
Цена: по запросу
 
MBRS240LT3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.21 г
Цена: по запросу
 
MBRS260T3G
Описание MBRS260T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 60 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 60 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 700 Максимальное...
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.22 г
Цена: по запросу
 
MBRS2H100T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.23 г
Цена: по запросу
 
MBRS3100T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.36 г
Цена: по запросу
 
MBRS320
Код товара215032 КорпусDO-214AB
Цена: по запросу
 
MBRS3200T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.21 г
Цена: по запросу
 
MBRS3201T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.47 г
Цена: по запросу
 
MBRS320T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
MBRS330T3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.42 г
Цена: по запросу
 
MBRS340 (40V 3A SMC)
Вес брутто0.48 г Код товара604623
9.24 
 
MBRS340
Вес брутто0.47 г Код товара53351
Цена: по запросу
 
MBRS340
Вес брутто0.36 г Код товара215037
Цена: по запросу
 
MBRS360
Вес брутто0.35 г Код товара521066
10.34 
В наличии
 
MBRS360
Вес брутто0.35 г Код товара450344
9.60 
В наличии
 
MBRS360BT3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.233 г
Цена: по запросу
 
MBRS360T3G
Описание MBRS360T3G Schottky Barrier Diodes, 3A to 9A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное...
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.35 г
Цена: по запросу
 
MBRS410LT3G
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Код товара215039
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров