Дискретные полупроводники

IRLML6402
Вес брутто0.03 г Код товара479003
3.10 
В наличии
 
IRLML6402
Вес брутто0.05 г Код товара536332
4.64 
 
IRLML6402TRPBF
Вес брутто0.03 г Код товара114559
9.09 
В наличии
 
IRLML9301
Вес брутто0.06 г Код товара506988
4.98 
В наличии
 
IRLML9301TRPBF
Вес брутто0.06 г Остаток под заказ10 253 шт
5.35 
В наличии
 
IRLML9303
Вес брутто0.05 г Код товара428502
6.09 
В наличии
 
IRLML9303TRPBF
Вес брутто0.05 г Код товара204670
17.71 
В наличии
 
IRLMS1503TRPBF
Вес брутто0.03 г Остаток под заказ0 шт
28.75 
В наличии
 
IRLMS1902TRPBF
Вес брутто0.03 г Код товара464717
9.50 
В наличии
 
IRLMS2002TRPBF
Вес брутто0.07 г Код товара76852
51.00 
В наличии
 
IRLMS6702TRPBF
Вес брутто0.12 г Код товара74536
6.99 
В наличии
 
IRLMS6802TRPBF
Вес брутто0.08 г Код товара319750
54.23 
В наличии
 
IRLP3034PBF
Вес брутто7.08 г Остаток под заказ0 шт
285.02 
В наличии
 
IRLR024NTRPBF
Описание IRLR024NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Вес брутто0.61 г Код товара66384
21.78 
В наличии
 
IRLR120NTRPBF
Описание IRLR120NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 185 мОм Вес, г 0.4
Вес брутто0.64 г Код товара204684
26.37 
В наличии
 
IRLR2705TRPBF
Описание IRLR2705TRPBF N-CH 55V 28A 40mOhm TO252 Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм Максимальная рабочая температура +175...
Вес брутто0.73 г Остаток под заказ0 шт
46.44 
В наличии
 
IRLR2905TRPBF
Описание IRLR2905TRPBF The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides...
Вес брутто0.65 г Код товара204690
40.86 
В наличии
 
IRLR2905ZTRPBF
Описание IRLR2905ZTRPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто0.63 г Код товара378417
43.53 
В наличии
 
IRLR2908TRPBF
Описание IRLR2908TRPBF The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching...
Вес брутто0.4 г Остаток под заказ0 шт
87.63 
В наличии
 
IRLR3103TRPBF
Описание IRLR3103TRPBF N-LogL 30V 55A 107W 0.019R TO252AA Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19 мОм Структура n-канал...
Вес брутто0.615 г Остаток под заказ0 шт
132.69 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров