Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт
IRG7PSH54K10DPBF
Вес брутто8.16 г Код товара139835
Цена: по запросу
 
IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
IRGB14C40LPBF
Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...
Вес брутто2.72 г Код товара204503
Цена: по запросу
 
IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
IRGB30B60KPBF
Вес брутто3.5 г Импульсный ток коллектора макс120 А
Цена: по запросу
 
IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт
IRGB4045DPBF
Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто4.5 г Импульсный ток коллектора макс18 А
Цена: по запросу
 
IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт
IRGB4060DPBF
Вес брутто3.5 г Код товара204508
Цена: по запросу
 
IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт
IRGB4064DPBF
Вес брутто4.5 г Импульсный ток коллектора макс40 А
Цена: по запросу
 
IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт
IRGB4607DPBF
Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто2.66 г Импульсный ток коллектора макс12 А
44.00 ₽
В наличии
 
IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
IRGB4615DPBF
Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто4.5 г Импульсный ток коллектора макс24 А
Цена: по запросу
 
IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт
IRGB5B120KDPBF
Вес брутто3.5 г Код товара204517
Цена: по запросу
 
IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
IRGB6B60KDPBF
Вес брутто3.5 г Код товара204518
Цена: по запросу
 
IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный
IRGIB10B60KD1P
Импульсный ток коллектора макс32A Код товара413098
Цена: по запросу
 
IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт
IRGIB15B60KD1P
Импульсный ток коллектора макс38 А Код товара204519
Цена: по запросу
 
IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт
IRGIB6B60KDPBF
Импульсный ток коллектора макс22 А Код товара204520
Цена: по запросу
 
IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт
IRGP20B120U-EP
Вес брутто10 г Импульсный ток коллектора макс120 А
Цена: по запросу
 
IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт
IRGP30B120KD-EP
Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Вес брутто7.64 г Импульсный ток коллектора макс120 А
Цена: по запросу
 
IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad
IRGP30B60KD-EP
Вес брутто10 г Импульсный ток коллектора макс120A
Цена: по запросу
 
IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
IRGP4066DPBF
Импульсный ток коллектора макс225 А Код товара204533
Цена: по запросу
 
IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
IRGP4066PBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс225 А
Цена: по запросу
 
IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а
IRGP4068DPBF
Описание IRGP4068DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.26 г Код товара147223
378.22 ₽
В наличии
 
IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
IRGP4069D-EPBF
Вес брутто10 г Импульсный ток коллектора макс105 А
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров