Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRG4PH50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт
IRG4PH50UDPBF
Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.79 г Импульсный ток коллектора макс180 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH50UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт
IRG4PH50UPBF
Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...
Вес брутто7.43 г Импульсный ток коллектора макс180 А
Цена: по запросу
 
IRG4PSC71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт
IRG4PSC71KDPBF
Импульсный ток коллектора макс200 А Код товара204482
Цена: по запросу
 
IRG4PSC71KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт
IRG4PSC71KPBF
Импульсный ток коллектора макс200 А Код товара325683
Цена: по запросу
 
IRG4PSC71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт
IRG4PSC71UDPBF
Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.93 г Импульсный ток коллектора макс200 А
Цена: по запросу
 
IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт
IRG4PSC71UPBF
Описание IRG4PSC71UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S -...
Вес брутто8.12 г Импульсный ток коллектора макс200 А
Цена: по запросу
 
IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт
IRG4PSH71KDPBF
Описание IRG4PSH71KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 78 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.44 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики,...
Вес брутто8.16 г Импульсный ток коллектора макс156 А
Цена: по запросу
 
IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт
IRG4PSH71UDPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс200 А
Цена: по запросу
 
IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт
IRG4RC10SDPBF
Вес брутто0.8 г Код товара204484
Цена: по запросу
 
IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт
IRG4RC10UDPBF
Вес брутто0.66 г Код товара139531
Цена: по запросу
 
IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт
IRG7PH30K10DPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс27 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт
IRG7PH42U-EP
Вес брутто8.2 г Импульсный ток коллектора макс90 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт
IRG7PH42UD-EP
Вес брутто7.7 г Код товара204491
Цена: по запросу
 
IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт
IRG7PH42UD1-EP
Вес брутто10 г Код товара159277
Цена: по запросу
 
IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт
IRG7PH42UD1PBF
Вес брутто8.5 г Код товара204492
Цена: по запросу
 
IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт
IRG7PH42UPBF
Описание IRG7PH42UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс90 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт
IRG7PH46UD-EP
Вес брутто8.1 г Импульсный ток коллектора макс160 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт
IRG7PH46UDPBF
Описание IRG7PH46UDPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс160 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт
IRG7PH46UPBF
Описание IRG7PH46UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс160 А
Цена: по запросу
 
IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный
IRG7PH50K10D-EPBF
Вес брутто8.34 г Код товара473379
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров