Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRG4PC40UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт
IRG4PC40UDPBF
Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.2 г Импульсный ток коллектора макс160 А
Цена: по запросу
 
IRG4PC50KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 52 а, 200 вт
IRG4PC50KPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс104 А
Цена: по запросу
 
IRG4PC50SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 200 вт
IRG4PC50SPBF
Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...
Вес брутто7.51 г Импульсный ток коллектора макс140 А
Цена: по запросу
 
IRG4PC50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт
IRG4PC50UDPBF
Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Вес брутто7.4 г Импульсный ток коллектора макс220 А
Цена: по запросу
 
IRG4PC50WPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт
IRG4PC50WPBF
Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...
Вес брутто7.28 г Импульсный ток коллектора макс220 А
Цена: по запросу
 
IRG4PC60FPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4PC60FPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс360A
Цена: по запросу
 
IRG4PC60UPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4PC60UPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс300A
Цена: по запросу
 
IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт
IRG4PF50WDPBF
Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.88 г Импульсный ток коллектора макс204 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
IRG4PH20KDPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс22 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH20KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
IRG4PH20KPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс22 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт
IRG4PH30KDPBF
Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.26 г Импульсный ток коллектора макс40 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH30KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт
IRG4PH30KPBF
Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...
Вес брутто7.24 г Импульсный ток коллектора макс40 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт
IRG4PH40KDPBF
Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс60 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH40KPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4PH40KPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс60A
Цена: по запросу
 
IRG4PH40UD-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт
IRG4PH40UD-EPBF
Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс82 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH40UD2-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 160 вт
IRG4PH40UD2-EP
Вес брутто8.5 г Код товара316063
Цена: по запросу
 
IRG4PH40UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт
IRG4PH40UPBF
Вес брутто7.28 г Импульсный ток коллектора макс82 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH50KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт
IRG4PH50KDPBF
Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Вес брутто7.3 г Импульсный ток коллектора макс90 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH50KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт
IRG4PH50KPBF
Вес брутто7.36 г Импульсный ток коллектора макс90 А
Цена: по запросу
 
IRG4PH50S-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 57 а, 200 вт
IRG4PH50S-EPBF
Код товара204481 КорпусTO-247AD
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров