Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRFZ44ESTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт
IRFZ44ESTRRPBF
Вес брутто2.31 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
IRFZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 49а 110вт, 0.022 ом
IRFZ44NPBF
Вес брутто3 г Остаток под заказ0 шт
35.79 ₽
В наличии
 
IRFZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 49а 94вт
IRFZ44NSTRLPBF
Вес брутто1.35 г Остаток под заказ0 шт
81.22 ₽
В наличии
 
IRFZ44NSTRRPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 49 а
IRFZ44NSTRRPBF
Вес брутто1.2 г Код товара204438
Цена: по запросу
 
IRFZ44VPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 55а 115вт, 0.0165 ом
IRFZ44VPBF
Вес брутто2.7 г Остаток под заказ0 шт
49.45 ₽
В наличии
 
IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт
IRFZ44ZPBF
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Вес брутто2.8 г Остаток под заказ0 шт
87.51 ₽
В наличии
 
IRFZ44ZSTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a
IRFZ44ZSTRRPBF
Вес брутто1.2 г Остаток под заказ0 шт
127.31 ₽
В наличии
 
IRFZ46NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 50а 150вт, 0.024 ом
IRFZ46NPBF
Вес брутто2.84 г Остаток под заказ0 шт
42.75 ₽
В наличии
 
IRFZ48NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 190вт, 0.018 ом
IRFZ48NPBF
Вес брутто2.84 г Остаток под заказ0 шт
46.05 ₽
В наличии
 
IRFZ48NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 64а 130вт, 0.014 ом
IRFZ48NSTRLPBF
Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...
Вес брутто1.2 г Остаток под заказ0 шт
95.04 ₽
В наличии
 
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
IRG4BC10KDPBF
Вес брутто3.5 г Код товара325681
Цена: по запросу
 
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
IRG4BC20KDPBF
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Вес брутто2.68 г Импульсный ток коллектора макс32 А
Цена: по запросу
 
IRG4BC20KDSTRLP, транзистор биполярный igbt 600в 16a 60вт d2pak
IRG4BC20KDSTRLP
Вес брутто2.28 г Код товара464700
53.59 ₽
В наличии
 
IRG4BC20SPBF, транзистор биполярный igbt 600в 19a 60вт to220ab
IRG4BC20SPBF
Вес брутто2.92 г Код товара464701
44.03 ₽
В наличии
 
IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UD-SPBF
Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...
Вес брутто1.2 г Импульсный ток коллектора макс52 А
Цена: по запросу
 
IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт
IRG4BC20UDPBF
Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Вес брутто2.89 г Импульсный ток коллектора макс52 А
Цена: по запросу
 
IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UPBF
Код товара204453 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4BC30FD1PBF
Вес брутто3.5 г Код товара204455
Цена: по запросу
 
IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4BC30FPBF
Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...
Вес брутто2.7 г Импульсный ток коллектора макс124 А
Цена: по запросу
 
IRG4BC30KD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт
IRG4BC30KD-SPBF
Вес брутто1.2 г Импульсный ток коллектора макс56 А
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров