Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRFR9110TRPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 3.1a
IRFR9110TRPBF
Вес брутто0.52 г Входная емкость200пФ
Цена: по запросу
 
IRFR9120NTRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 6.6a
IRFR9120NTRLPBF
Описание IRFR9120NTRLPBF Вес, г 0.4
Входная емкость350пФ Заряд затвора27нКл
Цена: по запросу
 
IRFR9214PBF, транзистор полевой p-канальный 250в 2.7a
IRFR9214PBF
Вес брутто0.65 г Входная емкость220пФ
Цена: по запросу
 
IRFR9214TRLPBF, полевой транзистор, p-канальный, 250 в, 2.7 а
IRFR9214TRLPBF
Код товара204305 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
IRFR9214TRPBF, транзистор полевой p-канальный 250в 2.7а 50вт
IRFR9214TRPBF
Описание IRFR9214TRPBF MOSFET, P, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -250V Current, Id Cont 2.7A Resistance, Rds On 3ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style TO-252 Current,...
Вес брутто0.66 г Входная емкость220пФ
Цена: по запросу
 
IRFR9220PBF, транзистор полевой p-канальный 200в 3.6а 42вт, 1.5 ом
IRFR9220PBF
Вес брутто0.9 г Входная емкость340пФ
Цена: по запросу
 
IRFR9220TRRPBF, полевой транзистор, p-канальный, 200 в, 3.6 а
IRFR9220TRRPBF
Код товара204310 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
IRFR9310PBF, транзистор полевой p-канальный 400в 1.8а 50вт
IRFR9310PBF
Описание IRFR9310PBF The IRFR9310PBF is a -400V P-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU...
Вес брутто0.69 г Входная емкость270пФ
Цена: по запросу
 
IRFR9N20DTRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.4а 86вт
IRFR9N20DTRPBF
Вес брутто0.66 г Код товара426850
69.19 ₽
В наличии
 
IRFRC20PBF, транзистор полевой n-канальный 600в 2.0а 42вт, 4.4 ом
IRFRC20PBF
Описание IRFRC20PBF The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series)...
Вес брутто0.7 г Входная емкость350пФ
Цена: по запросу
 
IRFS3004TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 195а 380вт
IRFS3004TRLPBF
Вес брутто1.35 г Код товара429029
239.64 ₽
В наличии
 
IRFS3006TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 195a
IRFS3006TRLPBF
Вес брутто1.25 г Остаток под заказ0 шт
565.04 ₽
В наличии
 
IRFS3206TRRPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 120a
IRFS3206TRRPBF
Вес брутто1.8 г Остаток под заказ0 шт
155.90 ₽
В наличии
 
IRFS3306TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 160a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRFS3306TRLPBF
Вес брутто1.84 г Остаток под заказ0 шт
221.85 ₽
В наличии
 
IRFS3806TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 43a
IRFS3806TRLPBF
Вес брутто1.8 г Остаток под заказ0 шт
86.11 ₽
В наличии
 
IRFS38N20DPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 43а 320вт
IRFS38N20DPBF
Вес брутто2.38 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
IRFS38N20DTRLP, транзистор полевой n-канальный 200в 38a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRFS38N20DTRLP
Вес брутто1.71 г Остаток под заказ300 шт
152.00 ₽
В наличии
 
IRFS4010TRL7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 190a d2pak-7
IRFS4010TRL7PP
Вес брутто1.35 г Входная емкость9830пФ @ 50В
Цена: по запросу
 
IRFS4010TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 180а 375вт
IRFS4010TRLPBF
Вес брутто1.8 г Код товара375884
251.74 ₽
В наличии
 
IRFS4115TRLPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 195a
IRFS4115TRLPBF
Описание IRFS4115TRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Вес брутто2.4 г Остаток под заказ0 шт
180.86 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров