Дискретные полупроводники

IRFPE30PBF, транзистор полевой n-канальный 800в 4.1a

КОД: IRFPE30PBF

Вес брутто6.2 г Входная емкость1300пФ

Цена: по запросу

IRFPE40PBF, транзистор полевой n-канальный 800в 5.4а 150вт

КОД: IRFPE40PBF

Описание IRFPE40PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...

Вес брутто5.96 г Входная емкость1900пФ

Цена: по запросу

IRFPE50PBF, транзистор полевой n-канальный 800в 7.8а 190вт, 1.2 ом

КОД: IRFPE50PBF

Описание IRFPE50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...

Вес брутто6.46 г Входная емкость3100пФ

Цена: по запросу

IRFPF30PBF, полевой транзистор, n-канальный, 900 в, 3.6 а

КОД: IRFPF30PBF

Входная емкость1200пФ Заряд затвора78нКл

Цена: по запросу

IRFPF40PBF, транзистор полевой n-канальный 900в 4.7a

КОД: IRFPF40PBF

Описание IRFPF40PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 ом...

Вес брутто6.4 г Входная емкость1600пФ

Цена: по запросу

IRFPF50PBF, транзистор полевой n-канальный 900в 6.7а 190вт, 1.6 ом

КОД: IRFPF50PBF

Описание IRFPF50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...

Вес брутто6.78 г Входная емкость2900пФ

Цена: по запросу

IRFPG30PBF, транзистор полевой n-канальный 1000в 3.1a

КОД: IRFPG30PBF

Вес брутто6.66 г Входная емкость980пФ

Цена: по запросу

IRFPG40PBF, транзистор полевой n-канальный 1000в 4.3a

КОД: IRFPG40PBF

Входная емкость1600пФ Заряд затвора120нКл

Цена: по запросу

IRFPG50PBF, транзистор полевой n-канальный 1000в 6.1а 190вт, 2.0 ом

КОД: IRFPG50PBF

Описание IRFPG50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...

Вес брутто6.06 г Входная емкость2800пФ

Цена: по запросу

IRFPS37N50APBF, транзистор полевой n-канальный 500в 36а 446вт, 0.13 ом

КОД: IRFPS37N50APBF

Описание IRFPS37N50APBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 36 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13...

Вес брутто7.67 г Входная емкость5579пФ

Цена: по запросу

IRFPS3810PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 170а 580вт

КОД: IRFPS3810PBF

Описание IRFPS3810PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 170 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.009...

Вес брутто8.16 г Входная емкость6790пФ

Цена: по запросу

IRFPS3815PBF, транзистор полевой n-канальный 150в 105а 441вт

КОД: IRFPS3815PBF

Вес брутто8.5 г Остаток под заказ0 шт

503.56 ₽

В наличии

IRFPS38N60LPBF, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 38 а

КОД: IRFPS38N60LPBF

Входная емкость7990пФ Заряд затвора320нКл

Цена: по запросу

IRFPS40N50LPBF, транзистор полевой n-канальный 500в 46а 540вт

КОД: IRFPS40N50LPBF

Вес брутто8.5 г Входная емкость8110пФ

Цена: по запросу

IRFPS40N60KPBF, транзистор полевой n-канальный 600в 40а 570вт

КОД: IRFPS40N60KPBF

Вес брутто7.99 г Входная емкость7970пФ

Цена: по запросу

IRFPS43N50KPBF, транзистор полевой n-канальный 500в 47а 540вт

КОД: IRFPS43N50KPBF

Описание IRFPS43N50KPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...

Вес брутто7.72 г Входная емкость8310пФ

Цена: по запросу