Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP22N50APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFP22N60KPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 ом...
Описание IRFP240PBF IRFP240PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 200В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные...
Цена: по запросу
Описание IRFP250PBF The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel •...
Описание IRFP260MPBF Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм...
Описание IRFP260PBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 49 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP264PBF • Dynamic dV/dt rating • Ease of paralleling • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Simple drive requirements Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38...
Показать еще 20 товаров