Дискретные полупроводники

IRFD9010PBF, полевой транзистор, p-канальный, 50 в, 1.1 а

КОД: IRFD9010PBF

Входная емкость240пФ Заряд затвора11нКл

Цена: по запросу

IRFD9014PBF, транзистор полевой p-канальный 60в 1.1а 1.3вт

КОД: IRFD9014PBF

Описание IRFD9014PBF Корпус DIP4 Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 1,1 А Тип корпуса HVMDIP Максимальное рассеяние мощности 1,3 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 6.29мм Высота 3.37мм Размеры 5 x 6.29...

Вес брутто0.7 г Входная емкость270пФ

Цена: по запросу

IRFD9020PBF, полевой транзистор, p-канальный, 60 в, 1.6 а

КОД: IRFD9020PBF

Входная емкость570пФ Заряд затвора19нКл

Цена: по запросу

IRFD9024PBF, транзистор полевой p-канальный 60в 1.6а 1.3вт, 0.28 ом

КОД: IRFD9024PBF

Описание IRFD9024PBF The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...

Вес брутто0.57 г Входная емкость570пФ

Цена: по запросу

IRFD9110PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 700ма

КОД: IRFD9110PBF

Описание IRFD9110PBF The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...

Входная емкость200пФ Заряд затвора8.7нКл

Цена: по запросу

IRFD9120PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 1а 1.3вт, 0.6 ом

КОД: IRFD9120PBF

Описание IRFD9120PBF The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...

Вес брутто0.56 г Входная емкость390пФ

Цена: по запросу