Дискретные полупроводники

IRFB4228PBF
Вес брутто2.87 г Входная емкость4530пФ
Цена: по запросу
 
IRFB4229PBF
Вес брутто2.64 г Остаток под заказ0 шт
196.99 
В наличии
 
IRFB4233PBF
Вес брутто0.2 г Входная емкость5510пФ
Цена: по запросу
 
IRFB42N20DPBF
Вес брутто2.69 г Остаток под заказ0 шт
169.73 
В наличии
 
IRFB4310PBF
Вес брутто2.84 г Остаток под заказ0 шт
170.25 
В наличии
 
IRFB4310ZPBF
Описание IRFB4310ZPBF The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power...
Вес брутто3.5 г Остаток под заказ0 шт
123.98 
В наличии
 
IRFB4321PBF
Вес брутто3 г Остаток под заказ0 шт
135.49 
В наличии
 
IRFB4332PBF
Вес брутто3.1 г Остаток под заказ775 шт
194.89 
В наличии
 
IRFB4410PBF
Вес брутто2.08 г Остаток под заказ0 шт
168.82 
В наличии
 
IRFB4410ZPBF
Вес брутто2.81 г Остаток под заказ0 шт
60.22 
В наличии
 
IRFB4510PBF
Вес брутто2.8 г Код товара203978
46.74 
В наличии
 
IRFB4610PBF
Вес брутто2.9 г Остаток под заказ0 шт
137.03 
В наличии
 
IRFB4615PBF
Входная емкость1750пФ Заряд затвора26нКл
Цена: по запросу
 
IRFB4620PBF
Вес брутто2.87 г Остаток под заказ0 шт
129.84 
В наличии
 
IRFB4710PBF
Вес брутто2.97 г Код товара116964
133.83 
В наличии
 
IRFB52N15DPBF
Вес брутто2.85 г Остаток под заказ0 шт
144.78 
В наличии
 
IRFB5615PBF
Вес брутто2.78 г Остаток под заказ0 шт
72.32 
В наличии
 
IRFB5620PBF
Описание IRFB5620PBF The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D...
Вес брутто3.39 г Остаток под заказ0 шт
199.58 
В наличии
 
IRFB59N10DPBF
Входная емкость2450пФ Заряд затвора114нКл
Цена: по запросу
 
IRFB61N15DPBF
Описание IRFB61N15DPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.032...
Вес брутто2.89 г Остаток под заказ0 шт
152.78 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров