Дискретные полупроводники

IRF9317TRPBF
Вес брутто0.23 г Остаток под заказ230 шт
63.47 
В наличии
 
IRF9321PBF
Описание IRF9321PBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Вес брутто0.8 г ОсобенностиLogic Level Gate
55.13 
 
IRF9321TRPBF
Вес брутто0.23 г Остаток под заказ3 770 шт
33.50 
В наличии
 
IRF9328TRPBF
Вес брутто0.25 г Остаток под заказ0 шт
121.03 
В наличии
 
IRF9333TRPBF
Вес брутто0.24 г Остаток под заказ0 шт
50.66 
В наличии
 
IRF9335TRPBF
Описание IRF9335TRPBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Вес брутто0.22 г Остаток под заказ0 шт
35.25 
В наличии
 
IRF9358PBF
Описание IRF9358PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -9.2/-7.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Вес брутто0.21 г Код товара203902
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
IRF9362TRPBF
Описание IRF9362TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 21 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Вес брутто0.25 г Код товара344494
Цена: по запросу
 
IRF9388PBF
Входная емкость1680пФ Заряд затвора52нКл
Цена: по запросу
 
IRF9410TRPBF
Вес брутто0.2 г Входная емкость550пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
IRF9510PBF
Описание IRF9510PBF The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The...
Вес брутто2.69 г Входная емкость200пФ
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
IRF9520NPBF
Вес брутто2.88 г Код товара70070
105.49 
В наличии
 
IRF9530NPBF
Вес брутто2.84 г Входная емкость760пФ
Цена: по запросу
 
IRF9530NSPBF
Описание IRF9530NSPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто2 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
IRF9530NSTRLPBF
Описание IRF9530NSTRLPBF Вес, г 2.5
Вес брутто1.68 г Остаток под заказ0 шт
62.56 
В наличии
 
IRF9530PBF
Описание IRF9530PBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Вес брутто2.93 г Входная емкость860пФ
Цена: по запросу
 
IRF9540NPBF
Вес брутто2.9 г Остаток под заказ2 025 шт
34.53 
В наличии
 
IRF9540NSTRLPBF
Вес брутто2.2 г Остаток под заказ0 шт
67.39 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров