Дискретные полупроводники

Описание IRF7495PBF MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration...
Описание IRF7811AVTRPBF Вес, г 0.15
Описание IRF7832TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм Максимальная рабочая температура +155 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRF7842TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный...
Показать еще 20 товаров