Дискретные полупроводники

IRF7413ZTRPBF
Описание IRF7413ZTRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30...
Вес брутто0.17 г Остаток под заказ0 шт
43.61 
В наличии
 
IRF7416TRPBF
Вес брутто0.23 г Остаток под заказ5 300 шт
43.56 
В наличии
 
IRF7424TRPBF
Описание IRF7424TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.5 мОм Структура P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30...
Вес брутто0.14 г Остаток под заказ0 шт
83.96 
В наличии
 
IRF7425TRPBF
Описание IRF7425TRPBF The IRF7425TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET compatible with existing surface-mount techniques. • Industry standard pin-out for multi-vendor compatibility • Halogen-free • Consumer qualification MSL-1 (increased reliability) Структура...
Вес брутто0.13 г Остаток под заказ0 шт
72.82 
В наличии
 
IRF7452TRPBF
Описание IRF7452TRPBF Вес, г 0.15
Вес брутто0.12 г Остаток под заказ0 шт
275.42 
В наличии
 
IRF7455TR
Вес брутто0.18 г Код товара551897
20.51 
В наличии
 
IRF7455TRPBF
Вес брутто0.2 г Остаток под заказ0 шт
102.57 
В наличии
 
IRF7465TRPBF
Описание IRF7465TRPBF N-CH 150V 1.9A 280mOhm SO-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 280 мОм Структура n-канал Максимальное...
Вес брутто0.22 г Остаток под заказ0 шт
45.05 
В наличии
 
IRF7468TRPBF
Описание IRF7468TRPBF Вес, г 0.15
Вес брутто0.14 г Остаток под заказ0 шт
117.01 
В наличии
 
IRF7469TR
Вес брутто0.6 г Код товара551885
Цена: по запросу
 
IRF7469TRPBF
Вес брутто0.14 г Остаток под заказ0 шт
65.88 
В наличии
 
IRF7470PBF
Описание IRF7470PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13...
Вес брутто0.2 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
IRF7470TRPBF
Описание IRF7470TRPBF N-CH 40V 11A 13mOhm SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13 мОм Brand Infineon Вес, г 0.15
Вес брутто0.12 г Остаток под заказ0 шт
68.78 
В наличии
 
IRF7478TRPBF
Вес брутто0.23 г Остаток под заказ0 шт
92.56 
В наличии
 
IRF7488TRPBF
Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
IRF7490PBF
Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
IRF7490TRPBF
Вес брутто0.2 г Входная емкость1720пФ
Цена: по запросу
 
IRF7492TRPBF
Вес брутто0.12 г Остаток под заказ0 шт
51.52 
В наличии
 
IRF7493PBF
Описание IRF7493PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 15...
Вес брутто0.19 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
IRF7493TRPBF
Описание IRF7493TRPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate
92.27 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров