Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 55 в, 3.4 а, 2 вт, 0.105 ом
IRF7342PBF
Описание IRF7342PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105...
Вес брутто0.2 г Код товара73238
Цена: по запросу
 
IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом
IRF7343PBF
Описание IRF7343PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55/-55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Вес брутто0.2 г Код товара66295
Цена: по запросу
 
IRF7343TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в
IRF7343TR
Вес брутто0.17 г Код товара551896
Цена: по запросу
 
IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт
IRF7351PBF
Описание IRF7351PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.8...
Вес брутто0.15 г Код товара152427
Цена: по запросу
 
IRF7351TR, сборка из полевых транзисторов, mosfet 2n-канальный, 60 в, 8 а
IRF7351TR
Вес брутто0.24 г Код товара551273
Цена: по запросу
 
IRF7379TRPBF, сборка полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 5.8 а/4.3 а, 3 вт
IRF7379TRPBF
Вес брутто0.2 г Код товара134903
Цена: по запросу
 
IRF7380PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 80 в, 3.6 а, 2w
IRF7380PBF
Описание IRF7380PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 73...
Вес брутто0.2 г Код товара66296
Цена: по запросу
 
IRF7389PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 7.3 а/5.3 а, 2.5 вт
IRF7389PBF
Описание IRF7389PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.3/-5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Вес брутто0.2 г Код товара69659
Цена: по запросу
 
IRF7401TRPBF, транзистор полевой n-канальный 20в 8.7а 2.5вт
IRF7401TRPBF
Описание IRF7401TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20...
Вес брутто0.22 г Остаток под заказ0 шт
53.31 ₽
В наличии
 
IRF7403TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 8.5а 2.5вт
IRF7403TRPBF
Вес брутто0.179 г Остаток под заказ0 шт
67.49 ₽
В наличии
 
IRF7404TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 6.7a
IRF7404TRPBF
Описание IRF7404TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Вес брутто0.26 г Остаток под заказ994 шт
39.13 ₽
В наличии
 
IRF7406PBF, транзистор полевой p-канальный 30в 5.8а 2.5вт, 0.045 ом
IRF7406PBF
Описание IRF7406PBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 45...
Вес брутто0.18 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
IRF7406TR, транзистор полевой p-канальный 30в 5.8a
IRF7406TR
Вес брутто0.2 г Код товара541021
10.63 ₽
В наличии
 
IRF7406TRPBF, транзистор полевой p-канальный 30в 5.8a
IRF7406TRPBF
Вес брутто0.2 г Остаток под заказ0 шт
57.74 ₽
В наличии
 
IRF740ALPBF, транзистор полевой n-канальный 400в 10а 125вт
IRF740ALPBF
Вес брутто3.5 г Входная емкость1030пФ
Цена: по запросу
 
IRF740ASPBF, транзистор полевой n-канальный 400в 10а 125вт
IRF740ASPBF
Вес брутто1.6 г Входная емкость1030пФ
Цена: по запросу
 
IRF740ASTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 400в 10а 125вт
IRF740ASTRLPBF
Описание IRF740ASTRLPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.55...
Вес брутто2.3 г Входная емкость1030пФ
Цена: по запросу
 
IRF740STRRPBF, полевой транзистор, n-канальный, 400 в, 10 а
IRF740STRRPBF
Вес брутто1.2 г Код товара203805
Цена: по запросу
 
IRF7410TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 16a
IRF7410TRPBF
Описание IRF7410TRPBF P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто0.25 г Остаток под заказ0 шт
81.12 ₽
В наличии
 
IRF7413TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 13а 2.5вт
IRF7413TRPBF
Описание IRF7413TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный...
Вес брутто0.23 г ОсобенностиLogic Level Gate
41.45 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров