Дискретные полупроводники

IRF540NSTRLPBF
Вес брутто2.3 г Остаток под заказ510 шт
36.04 
В наличии
 
IRF540ZLPBF
Вес брутто2.5 г Остаток под заказ0 шт
54.23 
В наличии
 
IRF540ZPBF
Вес брутто2.84 г Остаток под заказ0 шт
61.48 
В наличии
 
IRF5801TRPBF
Вес брутто0.07 г Остаток под заказ0 шт
38.85 
В наличии
 
IRF5802TRPBF
Вес брутто0.04 г Остаток под заказ0 шт
26.81 
В наличии
 
IRF5803TRPBF
Вес брутто0.03 г Остаток под заказ0 шт
19.75 
В наличии
 
IRF5851TRPBF
Вес брутто0.03 г Код товара106526
Цена: по запросу
 
IRF5852TRPBF
Описание IRF5852TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09...
Вес брутто0.06 г Код товара132104
Цена: по запросу
 
IRF6215PBF
Вес брутто3.04 г Остаток под заказ0 шт
614.47 
В наличии
 
IRF6216TRPBF
Описание IRF6216TRPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто0.13 г Остаток под заказ240 шт
49.16 
В наличии
 
IRF6218PBF
Вес брутто2.82 г Остаток под заказ0 шт
184.78 
В наличии
 
IRF630
Описание IRF630 N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси...
Вес брутто2.72 г Остаток под заказ10 шт
79.46 
В наличии
 
IRF630NPBF
Вес брутто2.9 г Остаток под заказ750 шт
29.04 
В наличии
 
IRF630NSTRLPBF
Описание IRF630NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Вес брутто2.31 г Остаток под заказ0 шт
128.05 
В наличии
 
IRF640NPBF
Описание IRF640NPBF IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс...
Вес брутто2.72 г Остаток под заказ4 700 шт
36.06 
В наличии
 
IRF640NSTRLPBF
Описание IRF640NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и...
Вес брутто2.3 г Остаток под заказ0 шт
66.65 
В наличии
 
IRF6645TRPBF
Входная емкость890пФ Заряд затвора20нКл
165.41 
 
IRF6727MTRPBF
Вес брутто0.2 г Остаток под заказ0 шт
124.47 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
IRF7103PBF
Описание IRF7103PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130...
Вес брутто0.147 г Код товара66011
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров