Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRF3710ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59а 160вт
IRF3710ZPBF
Вес брутто2.82 г Остаток под заказ0 шт
159.63 ₽
В наличии
 
IRF3710ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a aвтомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRF3710ZSTRLPBF
Вес брутто1.7 г Остаток под заказ0 шт
165.07 ₽
В наличии
 
IRF3805PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a
IRF3805PBF
Вес брутто3.05 г Остаток под заказ0 шт
95.62 ₽
В наличии
 
IRF3805STRL-7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 160a d2pak-7
IRF3805STRL-7PP
Вес брутто2.33 г Остаток под заказ0 шт
338.90 ₽
В наличии
 
IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт
IRF3808PBF
Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто2.8 г Остаток под заказ810 шт
110.78 ₽
В наличии
 
IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом
IRF3808STRLPBF
Описание IRF3808STRLPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Вес брутто1.35 г Остаток под заказ0 шт
196.46 ₽
В наличии
 
IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
IRF4104SPBF
Описание IRF4104SPBF The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Вес брутто2.39 г Остаток под заказ0 шт
123.37 ₽
В наличии
 
IRF4104STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
IRF4104STRLPBF
Вес брутто2.39 г Код товара561218
115.78 ₽
В наличии
 
IRF4905PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 74а 200вт
IRF4905PBF
Вес брутто2.68 г Остаток под заказ220 шт
96.71 ₽
В наличии
 
IRF4905STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 42а 170вт
IRF4905STRLPBF
Описание IRF4905STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто2.23 г Остаток под заказ0 шт
94.81 ₽
В наличии
 
IRF520NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7а 48вт, 0.20 ом
IRF520NPBF
Вес брутто2.8 г Остаток под заказ0 шт
44.63 ₽
В наличии
 
IRF520NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRF520NSTRLPBF
Описание IRF520NSTRLPBF D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200...
Вес брутто1.35 г Остаток под заказ0 шт
94.73 ₽
В наличии
 
IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом
IRF5210PBF
Вес брутто3 г Остаток под заказ1 070 шт
86.12 ₽
В наличии
 
IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
IRF5210STRLPBF
Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Вес брутто1.3 г Остаток под заказ0 шт
91.78 ₽
В наличии
 
IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом
IRF5305PBF
Вес брутто2.6 г Остаток под заказ2 500 шт
42.56 ₽
В наличии
 
IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт
IRF5305STRLPBF
Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Вес брутто2.22 г Остаток под заказ0 шт
75.22 ₽
В наличии
 
IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220
IRF530A
Описание IRF530A IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора. • Увеличенная зона безопасной работы • Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В) •...
Вес брутто3.5 г Код товара358379
Цена: по запросу
 
IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом
IRF530NPBF
Вес брутто3.01 г Остаток под заказ1 265 шт
30.66 ₽
В наличии
 
IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт
IRF530NSTRLPBF
Вес брутто2.29 г Остаток под заказ0 шт
51.21 ₽
В наличии
 
IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом
IRF540NPBF
Вес брутто2.8 г Остаток под заказ7 700 шт
38.19 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров