Дискретные полупроводники

IPZA60R180P7XKSA1, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 18a 4-pin(4+tab) to-247 туба

КОД: IPZA60R180P7XKSA1

Код товара413044 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба

Цена: по запросу

IQE013N04LM6ATMA1, транзистор mosfet одиночный

КОД: IQE013N04LM6ATMA1

Код товара464614 Нормоупаковка5000 шт

Цена: по запросу

IR3899MTRPBF, транзистор mosfet одиночный

КОД: IR3899MTRPBF

Код товара591514 Корпус16-PQFN (4x5)

Цена: по запросу

IRF100B202, транзистор mosfet n-канал 100в 97а [to-220аb]

КОД: IRF100B202

Описание IRF100B202 МОП-транзистор TRENCH_МОП-транзисторS Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 97 A Тип корпуса TO-220 Максимальное рассеяние мощности 221 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.83мм Прямая...

Код товара413052 Корпус''

Цена: по запросу

IRF1010EPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 84а 170вт

КОД: IRF1010EPBF

Вес брутто2.8 г Входная емкость3210пФ

Цена: по запросу

IRF1010EZSPBF, полевой транзистор, n-канальный, 60 в, 75 а

КОД: IRF1010EZSPBF

Вес брутто1.2 г Код товара203637

Цена: по запросу

IRF1010EZSTRLP, полевой транзистор n-канальный 60в 84a автомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

КОД: IRF1010EZSTRLP

Вес брутто1.2 г Входная емкость2810пФ

Цена: по запросу

IRF1010NSPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75а 180вт

КОД: IRF1010NSPBF

Описание IRF1010NSPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 85 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом...

Вес брутто2.3 г Остаток под заказ0 шт

Цена: по запросу

IRF1010ZSPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 75 а

КОД: IRF1010ZSPBF

Вес брутто1.2 г Код товара203639

Цена: по запросу

IRF1010ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

КОД: IRF1010ZSTRLPBF

Описание IRF1010ZSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

Вес брутто1.2 г Входная емкость2840пФ

Цена: по запросу