Дискретные полупроводники

2N7002C
Вес брутто0.04 г Код товара770682
1.01 
В наличии
 
2N7002CK,215
Вес брутто0.03 г Остаток под заказ0 шт
12.03 
В наличии
 
2N7002DW
Вес брутто0.05 г Код товара522502
2.10 
В наличии
 
2N7002DWQ-13-F
Код товара437675 Нормоупаковка10000 шт
Цена: по запросу
 
2N7002DWQ-7-F
Код товара437676 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
2N7002E-7-F
Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
2N7002E-T1-E3
Входная емкость21пФ Заряд затвора0.6нКл
Цена: по запросу
 
2N7002E-T1-GE3
Вес брутто0.04 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
2N7002ET1G
Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
2N7002K _R1 _00001
Вес брутто0.05 г Код товара333262
Цена: по запросу
 
2N7002K
Вес брутто0.03 г Остаток под заказ110 000 шт
0.89 
В наличии
 
2N7002K
Вес брутто0.04 г Входная емкость50пФ
Цена: по запросу
 
2N7002K-13
Код товара343328 Краткое описаниеTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистор полевой N-канальный 60В 0.38A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
2N7002K-T1-E3
Входная емкость30пФ Заряд затвора0.6нКл
Цена: по запросу
 
2N7002K-T1-GE3
Описание 2N7002K-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
2N7002KT1G
Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров