Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
2N6490G, транзистор биполярный pnp 60в 15a to-220ab
2N6490G
Вес брутто3.5 г Код товара437674
Цена: по запросу
 
2N6491G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 15 а, 75 вт
2N6491G
Описание 2N6491G PNP Power Transistors, ON Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Вес брутто2.62 г Код товара103587
Цена: по запросу
 
2N6504G, тиристор 50в 25а 30ма
2N6504G
Код товара162100 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
2N6505G, тиристор 100в 25а 30ма
2N6505G
Код товара162101 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
2N6507G, тиристор 400в 25а 30ма
2N6507G
Вес брутто3.5 г Код товара162102
Цена: по запросу
 
2N6507TG, тиристор 400в 25а 30ма
2N6507TG
Вес брутто3.5 г Код товара162103
Цена: по запросу
 
2N6508G, тиристор 600в 25а 30ма
2N6508G
Вес брутто3.5 г Код товара300266
Цена: по запросу
 
2N6509G, тиристор 800в 25а 30ма
2N6509G
Вес брутто3.05 г Тип тиристораСтандартный
Цена: по запросу
 
2N6509TG, тиристор 800в 25а 30ма
2N6509TG
Код товара162106 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
2N6517, биполярный транзистор, npn, 350 в, 0.5 а, 0.6 вт
2N6517
Вес брутто0.5 г Код товара341301
3.90 ₽
В наличии
 
2N6517BU, биполярный транзистор, npn, 350 в, 0.5 а, 0.63 вт
2N6517BU
Описание 2N6517BU Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 360 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 360...
Вес брутто0.5 г Код товара154299
Цена: по запросу
 
2N6517TA, биполярный транзистор, npn, 350 в, 0.5 а, 0.6 вт
2N6517TA
Код товара377578 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N6520TA, биполярный транзистор, pnp, 350 в, 0.5 а
2N6520TA
Описание 2N6520TA High Voltage PNP Transistors, Fairchild Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимально допустимый ток...
Код товара305390 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N7000, mosfet n-ch 60v 350ma to-92
2N7000
Вес брутто0.2 г Код товара162115
4.53 ₽
В наличии
 
2N7000, транзистор полевой n-канальный 60в 350ма
2N7000
Вес брутто0.2 г Входная емкость50пФ
Цена: по запросу
 
2N7000-D26Z, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 200ma to-92
2N7000-D26Z
Код товара358289 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N7000-G, транзистор полевой n-канальный 60в 200ма
2N7000-G
Код товара162118 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N7000BU, транзистор полевой n-канальный 60в 200ма
2N7000BU
Входная емкость50пФ Код товара162117
Цена: по запросу
 
2N7000TA, транзистор полевой n-канальный 60в 350ма, 0.4вт
2N7000TA
Описание 2N7000TA Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Вес брутто0.3 г Входная емкость50пФ
Цена: по запросу
 
2N7000_D26Z, транзистор полевой n-канальный 60в 200ма
2N7000_D26Z
Код товара162121 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров