Москва

(₽)

+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

HFA50PA60CPBF, диод выпрямительный бытродействующий сборка 600в 2х2.5а

КОД: HFA50PA60CPBF

Вес брутто6.44 г Код товара605301

Цена: по запросу

HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a

КОД: HFGM100A 1200V

Вес брутто203.8 г Код товара565655

2 847.15 ₽

В наличии

HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a

КОД: HFGM150D12AV1

Вес брутто329 г Код товара565654

4 384.42 ₽

В наличии

HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в

КОД: HFGM195A 600V

Вес брутто180 г Код товара565661

3 062.33 ₽

В наличии

HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a

КОД: HFGM200A 1200V

Вес брутто329 г Код товара565659

4 777.72 ₽

В наличии

HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a

КОД: HFGM300A 1200V

Вес брутто328 г Код товара565653

6 485.47 ₽

В наличии

HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a

КОД: HFGM450A 1200V

Вес брутто328 г Код товара565657

7 550.08 ₽

В наличии

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

КОД: HGTG11N120CND

Вес брутто7.09 г Импульсный ток коллектора макс80 А

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

КОД: HGTG12N60C3D

Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс96A

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

КОД: HGTG20N60A4

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...

Вес брутто6.8 г Импульсный ток коллектора макс280 А

Цена: по запросу