Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

HFA50PA60CPBF, диод выпрямительный бытродействующий сборка 600в 2х2.5а

Цена: по запросу

HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a

В наличии

2 847.15 ₽

HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a

В наличии

4 384.42 ₽

HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в

В наличии

3 062.33 ₽

HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a

В наличии

4 777.72 ₽

HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a

В наличии

6 485.47 ₽

HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a

В наличии

7 550.08 ₽

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

Цена: по запросу

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...