Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

GS1M-TP, диод шоттки 1000в 1а

Цена: по запросу

GS1ME-TP, диод выпрямительный общего применения 1000в 1а

Цена: по запросу

GS1M_R2_00001, диод 1a 1000в sma

Цена: по запросу

GS2JFL-TP, диод 600в 2a 2-pin sma-fl лента на катушке

Цена: по запросу

GS2K, диод одиночный

Цена: по запросу

GS2M, диод одиночный

Цена: по запросу

GS3K, диод импульсный 800в 3а

Цена: по запросу

GS66504B-E01-MR, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

GSD2004S-E3-08, диод выпрямительный сборка 240в 225ма

Цена: по запросу

GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

В наличии

111.72 ₽

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...