Москва

(£)

+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

G3R160MT12D, транзистор полевой n-канальный 1200в 19а 106вт

КОД: G3R160MT12D

Цена: по запросу

G3R20MT12K, транзистор полевой n-канальный 1200в 100а

КОД: G3R20MT12K

Цена: по запросу

G3R30MT12J, транзистор полевой mosfet sic n-канальый 1200в 96а, 459вт

КОД: G3R30MT12J

Цена: по запросу

G3R30MT12K, транзистор полевой n-канальный 1200в 70а

КОД: G3R30MT12K

Цена: по запросу

GC044N60QF, транзистор полевой n-канальный 600в 60a

КОД: GC044N60QF

Цена: по запросу

GC50MPS33H, диод шоттки 3300в 50а

КОД: GC50MPS33H

Цена: по запросу

GD100CUY120C1S, модуль igbt силовой

КОД: GD100CUY120C1S

£28.58

GD100HFU120C1S, igbtмодуль 1200v, 100a 2 in one-package

КОД: GD100HFU120C1S

В наличии

£38.99

GD100HFX170C1S, модуль igbt 1700в 168a

КОД: GD100HFX170C1S

В наличии

£40.94

GD100HFY120C1S, igbt модуль 1200в 155а 511вт 150°с

КОД: GD100HFY120C1S

В наличии

£32.52

GD150CUY120C1S, модуль igbt 1200в 150а

КОД: GD150CUY120C1S

В наличии

£30.96

GD150HFU120C2S, модуль igbt 1200в 150а

КОД: GD150HFU120C2S

В наличии

£58.98

GD150HFX65C1S, модуль igbt силовой

КОД: GD150HFX65C1S

£41.75

GD150HFY120C1S, модуль igbt силовой

КОД: GD150HFY120C1S

£40.90

GD200HFU120C2S, модуль igbt 1200в 262а

КОД: GD200HFU120C2S

В наличии

£68.05

GD200HFX170C2S, модуль igbt 1700в 337a

КОД: GD200HFX170C2S

В наличии

£83.83

GD200HFX65C2S, модуль igbt 650в 247a

КОД: GD200HFX65C2S

В наличии

£51.69

GD200HFY120C2S, модуль igbt 1200в 200a

КОД: GD200HFY120C2S

В наличии

£63.13

GD225HFX170C6S, модуль igbt силовой

КОД: GD225HFX170C6S

£102.87

GD25FFK120C5SP, модуль igbt 1200в 25а

КОД: GD25FFK120C5SP

£55.42

Показать еще 20 товаров

321 - 335 Назад

329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343

Вперед 337 - 351