Дискретные полупроводники

FQU10N20CTU
Входная емкость510пФ Заряд затвора26нКл
Цена: по запросу
 
FQU11P06TU
Описание FQU11P06TU The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior...
Входная емкость550пФ Заряд затвора17нКл
Цена: по запросу
 
FQU13N06LTU
Входная емкость350пФ Заряд затвора6.4нКл
Цена: по запросу
 
FQU13N10LTU
Код товара198697 Краткое описаниеMOSFET N-CH 100V 10A IPAK Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Цена: по запросу
 
FQU17P06TU
Код товара358406 КорпусTO-251
Цена: по запросу
 
FQU1N60CTU
Входная емкость170пФ Заряд затвора6.2нКл
Цена: по запросу
 
FQU1N80TU
Входная емкость195пФ @ 25В Заряд затвора7.2нКл @ 10В
Цена: по запросу
 
FQU20N06LTU
Входная емкость630пФ Заряд затвора13нКл
Цена: по запросу
 
FQU2N100TU
Входная емкость520пФ Заряд затвора15.5нКл
Цена: по запросу
 
FQU2N60CTU
Входная емкость235пФ Заряд затвора12нКл
Цена: по запросу
 
FQU3N50CTU
Входная емкость365пФ Заряд затвора13нКл
Цена: по запросу
 
FQU5N40TU
Входная емкость460пФ Заряд затвора13нКл
Цена: по запросу
 
FQU5N60CTU
Входная емкость670пФ Заряд затвора19нКл
Цена: по запросу
 
FR107 T/B
Вес брутто0.4 г Код товара341468
1.57 
 
FR107
Описание FR107 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое...
Вес брутто0.3 г Код товара104682
8.82 
 
FR107
Вес брутто0.4 г Код товара307622
Цена: по запросу
 
FR157
Вес брутто0.6 г Код товара362664
1.84 
 
FR157
Вес брутто0.6 г Код товара362663
Цена: по запросу
 
FR2A
Код товара335228 Краткое описаниеDiode Switching 50V 2A Automotive Диод импульсный 50В 2A автомобильного применения
Цена: по запросу
 
FR302
Код товара479252 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров