Дискретные полупроводники

FQPF8N80CYDTU
Вес брутто3.5 г Входная емкость2050пФ
Цена: по запросу
 
FQPF8N90C
Вес брутто3.5 г Входная емкость2080пФ
Цена: по запросу
 
FQPF9N25CT
Вес брутто3.5 г Входная емкость710пФ
Цена: по запросу
 
FQPF9N50C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1030пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FQPF9N50CF
Вес брутто3.08 г Входная емкость1030пФ
Цена: по запросу
 
FQPF9N90CT
Вес брутто3.5 г Входная емкость2730пФ
Цена: по запросу
 
FQPF9P25
Вес брутто3.5 г Входная емкость1180пФ
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
FQS4903TF
Вес брутто0.2 г Код товара198681
Цена: по запросу
 
FQT13N06LTF
Входная емкость350пФ Заряд затвора6.4нКл
Цена: по запросу
 
FQT13N06TF
Входная емкость310пФ Заряд затвора7.5нКл
Цена: по запросу
 
FQT1N60CTF_WS
Входная емкость170пФ Заряд затвора6.2нКл
Цена: по запросу
 
FQT1N80TF_WS
Входная емкость195пФ Заряд затвора7.2нКл
Цена: по запросу
 
FQT2P25TF
Входная емкость250пФ Заряд затвора8.5нКл
Цена: по запросу
 
FQT3P20TF
Входная емкость250пФ Заряд затвора8нКл
Цена: по запросу
 
FQT4N20LTF
Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching...
Вес брутто0.21 г Входная емкость310пФ
Цена: по запросу
 
FQT4N25TF
Вес брутто0.85 г Входная емкость200пФ
Цена: по запросу
 
FQT5P10TF
Входная емкость250пФ Заряд затвора8.2нКл
Цена: по запросу
 
FQT7N10LTF
Вес брутто0.3 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQT7N10TF
Входная емкость250пФ Заряд затвора7.5нКл
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров