Дискретные полупроводники

FQPF47P06
Вес брутто3.5 г Входная емкость3600пФ
Цена: по запросу
 
FQPF4N90C
Описание FQPF4N90C Корпус TO220FULLPAK3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при...
Вес брутто3 г Входная емкость960пФ
Цена: по запросу
 
FQPF5N40
Вес брутто3.5 г Входная емкость460пФ
Цена: по запросу
 
FQPF5N50
Вес брутто3.5 г Входная емкость610пФ
Цена: по запросу
 
FQPF5N60C
Вес брутто3.1 г Входная емкость670пФ
Цена: по запросу
 
FQPF5N90
Вес брутто3.5 г Входная емкость1550пФ
Цена: по запросу
 
FQPF630
Вес брутто3.5 г Входная емкость550пФ
Цена: по запросу
 
FQPF65N06
Вес брутто3.5 г Входная емкость2410пФ
Цена: по запросу
 
FQPF6N60C
Вес брутто2.88 г Входная емкость810пФ
Цена: по запросу
 
FQPF6N80C
Вес брутто3.5 г Код товара358399
Цена: по запросу
 
FQPF6N90C
Вес брутто2.96 г Входная емкость1770пФ
Цена: по запросу
 
FQPF70N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость3300пФ
Цена: по запросу
 
FQPF7N60
Вес брутто3.08 г ОсобенностиStandard
Цена: по запросу
 
FQPF7N65C
Вес брутто2.86 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
FQPF7N80C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1680пФ
Цена: по запросу
 
FQPF7P20
Вес брутто3.5 г Входная емкость770пФ
Цена: по запросу
 
FQPF85N06
Вес брутто3.5 г Входная емкость4120пФ
Цена: по запросу
 
FQPF8N60C
Вес брутто2.9 г Входная емкость1255пФ
Цена: по запросу
 
FQPF8N60CFT
Вес брутто3.02 г Входная емкость1255пФ
Цена: по запросу
 
FQPF8N80C
Описание FQPF8N80C The FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide...
Вес брутто2.9 г Входная емкость2050пФ
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров