Дискретные полупроводники

FQPF13N06L
Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQPF13N10
Вес брутто3.5 г Код товара154311
Цена: по запросу
 
FQPF13N50CF
Вес брутто2.89 г Входная емкость2055пФ
Цена: по запросу
 
FQPF15P12
Вес брутто3.5 г Входная емкость1100пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FQPF16N15
Вес брутто3.5 г Входная емкость910пФ
Цена: по запросу
 
FQPF16N25C
Код товара198639 КорпусTO-220F
Цена: по запросу
 
FQPF18N50V2
Вес брутто3.5 г Код товара148394
Цена: по запросу
 
FQPF19N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость780пФ
Цена: по запросу
 
FQPF19N20
Вес брутто3.5 г Входная емкость1600пФ
Цена: по запросу
 
FQPF19N20C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1080пФ
Цена: по запросу
 
FQPF20N06
Вес брутто3.5 г Входная емкость590пФ
Цена: по запросу
 
FQPF20N06L
Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQPF22P10
Вес брутто3.5 г Входная емкость1500пФ
Цена: по запросу
 
FQPF22P10T
Вес брутто3.5 г Код товара198647
Цена: по запросу
 
FQPF27P06
Вес брутто3.5 г Входная емкость1400пФ
Цена: по запросу
 
FQPF2N60C
Вес брутто3.1 г Входная емкость235пФ
Цена: по запросу
 
FQPF2N80YDTU
Вес брутто3.5 г Входная емкость550пФ
Цена: по запросу
 
FQPF33N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость1500пФ
Цена: по запросу
 
FQPF33N10L
Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQPF3N80C
Описание FQPF3N80C The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior...
Вес брутто2.9 г Входная емкость705пФ
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров